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以集成電路設(shè)計(jì)為基礎(chǔ),開(kāi)展以融合通信為平臺(tái)的技術(shù)研發(fā);布局“芯片、軟件(模組)、終端、系統(tǒng)、信息服務(wù)”產(chǎn)業(yè)鏈,聚焦能源互聯(lián)網(wǎng)、智能化這兩個(gè)戰(zhàn)略新興領(lǐng)域,打造國(guó)際一流企業(yè)
依托成熟的電力線載波通信技術(shù),結(jié)合WIFI、藍(lán)牙、RF等通訊方式,開(kāi)展以融合通信為平臺(tái)的技術(shù)研發(fā),從“芯”開(kāi)始,構(gòu)建一個(gè)安全、智慧、綠色的智能化系統(tǒng)。
變更項(xiàng)目:8位、32位多款產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)版本更新
ES7P179x_Datasheet_C V1.3
1. 更新內(nèi)部參考電壓精度參數(shù);
2. 參數(shù)特性圖章節(jié)添加芯片運(yùn)行模式電流隨電壓-系統(tǒng)時(shí)鐘頻率變化特性圖;
3. 更新復(fù)位章節(jié)時(shí)序圖;
4. 更新ADC外部參考電壓的范圍,不能低于1.3V@VDD=3.3V,1.8V@VDD=5.0V;
5. 更新ADC時(shí)序特征示意圖和備注Tog > 80us。
ES7P202x_Datasheet_C V1.5
1. 更新ADC內(nèi)部參考電壓特性表以及內(nèi)部參考電壓相關(guān)內(nèi)容;
2. 更新ADC模塊SFR部分的外部參考電壓的范圍為:1.8V@VDD=5.0V,1.4V@VDD=3.3V;
3. 更新DC參數(shù)部分,ADC使用VDD做參考時(shí)的工作電壓范圍;
4. 更新復(fù)位章節(jié)中的復(fù)位時(shí)序圖及其他相關(guān)內(nèi)容;
5. 更新T2n章節(jié)相關(guān)內(nèi)容;
6. 修改ADC時(shí)序特征示意圖的備注Tog > 30us。
ES7P295x_Datasheet_C V1.3
1. 更新ADC內(nèi)部參考電壓特性表以及內(nèi)部參考電壓相關(guān)內(nèi)容;
2. 更新ADC模塊SFR部分的外部參考電壓的范圍為:1.8V@VDD=5.0V,1.4V@VDD=3.3V;
3. 更新DC參數(shù)部分,ADC使用VDD做參考時(shí)的工作電壓范圍;
4. 更新復(fù)位章節(jié)中的復(fù)位時(shí)序圖及其他相關(guān)內(nèi)容;
5. 更新T2n章節(jié)相關(guān)內(nèi)容;
6. 更新ADC時(shí)序特征示意圖的備注Tog > 30us。
ES8P508x_Datasheet_C V1.2
1. 新增ES8P5088FLLK LQFP32封裝;
2. 增加LQFP32封裝相關(guān)內(nèi)容說(shuō)明;
3. 更新配置字CFG_WORD相關(guān)內(nèi)容;
4. 更新A/D正負(fù)向參考電壓選擇位說(shuō)明;
5. 更新ADC外部參考電壓的范圍,不能低于1.3V@VDD=3.3V,1.8V@VDD=5.0V;
6. 更新ADC數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換時(shí)序示意圖和備注Tog > 40us,添加ADC建立時(shí)間的描述。
HR7P159B_Datasheet_C V1.6
1. 更新了內(nèi)部HRC 16MHz全溫度范圍的偏差為±3%,更新了16MHz隨電壓-溫度變化的曲線圖;
2. 增加下電復(fù)位電壓點(diǎn)選擇為2.7V或3.4V的建議。
HR7P159BE2SA_Datasheet_C V1.1
1. 更新了內(nèi)部HRC 16MHz全溫度范圍的偏差為±3%,更新了16MHz隨電壓-溫度變化的曲線圖。
2. 增加下電復(fù)位電壓點(diǎn)選擇為2.7V或3.4V的建議。
HR7P179_Datasheet_C V1.3
1. 更新內(nèi)部參考電壓精度參數(shù);
2. 參數(shù)特性圖章節(jié)添加芯片運(yùn)行模式電流隨電壓-系統(tǒng)時(shí)鐘頻率變化特性圖;
3. 更新復(fù)位章節(jié)時(shí)序圖;
4. 更新ADC外部參考電壓的范圍,不能低于1.3V@VDD=3.3V,1.8V@VDD=5.0V;
5. 更新ADC時(shí)序特征示意圖和備注Tog > 80us。
HR7P179A_Datasheet_C V1.2
1. 更新內(nèi)部參考電壓精度參數(shù);
2. 參數(shù)特性圖章節(jié)添加芯片運(yùn)行模式電流隨電壓-系統(tǒng)時(shí)鐘頻率變化特性圖;
3. 更新復(fù)位章節(jié)時(shí)序圖;
4. 刪除20-pin管腳圖;
5. 更新ADC外部參考電壓的范圍,不能低于1.3V@VDD=3.3V,1.8V@VDD=5.0V;
6. 更新ADC時(shí)序特征示意圖和備注Tog > 80us。
HR7P192_196_Datasheet_C V1.3
更新IAP操作相關(guān)內(nèi)容
HR8P506_Datasheet_C V1.8
1. 更新PLL時(shí)鐘頻率的相關(guān)內(nèi)容;
2. 添加在PWM獨(dú)立模式下,不要使用MAT2IF和MAT3IF的說(shuō)明;
3. 更新復(fù)位章節(jié)時(shí)序圖;
4. 更新ADC外部參考電壓的范圍,不能低于1.3V@VDD=3.3V,1.8V@VDD=5.0V;
5. “芯片時(shí)鐘特性圖”章節(jié),添加LRC時(shí)鐘隨電壓-溫度變化曲線;
6. 更新ADC模塊的描述,ADC數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換時(shí)序示意圖的備注Tog > 100us,在參考例程中添加約100us的延時(shí)說(shuō)明;
7. 刪除外部復(fù)位參考電路圖2的備注關(guān)于外接電阻的描述。
HR7P169B_Datasheet_C V1.10
1. 更新內(nèi)部參考電壓精度參數(shù);
2. 參數(shù)特性圖章節(jié)添加芯片運(yùn)行模式電流隨電壓-系統(tǒng)時(shí)鐘頻率變化特性圖;
3. 更新復(fù)位章節(jié)時(shí)序圖;
4. 更新ADC外部參考電壓的范圍,不能低于1.3V@VDD=3.3V,1.8V@VDD=5.0V。
5. 更新ADC時(shí)序特征示意圖和備注Tog > 80us。
變更時(shí)間:2018年9月20日
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